PNY推出microSD Express存储卡：为高速存储需求注入新动力

美国存储品牌PNY正式发布新一代microSD Express（SD 7.1）存储卡，以PCIe Gen3×1总线技术为核心，重新定义移动设备存储性能标准。这款专为高性能场景设计的存储卡，首批推出128GB和256GB两种容量版本，顺序读写速度分别高达890MB/s和750MB/s，较传统UHS-I卡提升4倍以上，轻松应对4K视频录制、大型游戏加载等高负载任务。

PNY microSD Express存储卡通过U3、A1、V30性能认证，并支持自适应热管理技术，确保长时间高强度使用时仍能稳定输出性能。其防护能力同样亮眼：防磁、防震、耐温、防水、防X射线等特性，搭配终身有限保修服务，让用户在户外探险、极限运动等复杂环境中也能安心使用。

该存储卡向下兼容UHS-I标准，可适配任天堂Switch 2游戏机、无人机、运动相机等设备，成为游戏玩家与内容创作者的理想选择。128GB版本售价44.99美元，256GB版本为55.99美元，以高性价比填补了高端存储卡市场的空白。随着5G、AI技术的普及，PNY此次推出的microSD Express存储卡不仅满足了现有设备对高速存储的需求，更为未来8K视频、VR内容等应用场景预留了性能空间。